Transistores.- Dispositivos con propiedades de ganacia similares a los antiguos tubos de vacío.
Normalmente se contruyen en germanio o silicio, materiales que son semiconductores adecuados para aplicarlos a los transistores. Experimentalmente se utilizan tambien compuestos de galio y de arsénico.
TIPOS DE TRANSISTORES:
De punta de contacto: El transistor primario. Consistía en electrodos de emisor y colector tocando un pequeño bloque de germanio llamado base, que podía ser de tipo N y del tipo P, siendo un cuadrado de 0.05 pulgada de lado. Era dificil de controlar, por lo que ya hoy se encuentra sin uso por estar anticuado.
De unión por crecimiento: Se obtienen sus cristales realizando un proceso de crecimiento, desde el germanio y el silicio fundidos de forma que presenten uniones con muy poca separación incrustadas en la pastilla.
Las impurezas se transofrman durante el crecimiento del cristal y producen lingotes PNP o NPN, de los que se obtiene pastillas individuales.
de unión a su vez pueden ser de unión de crecimiento, unión por alineación o de campo interno, que es aquél en que la concentración de impurezas se encuentra en una cierta zona de la base a fin de mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transistor.
De unión difusa: Utilizable en un margen amplio de frecuencias en el proceso de fabricación se utiliza silicio, lo que favorece la capacidad de potencia.
Se subdividen en los de difusión única ( hometaxial ), doble difusión, doble difusión planar y triple difusión planar.
Epitaxiales:Transistor de unión obtenido por el proceso de crecimiento en pastilla de semiconductor y procesos fotolitográficos utilizados para definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento.
Se subdividen en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa.
De efecto de campo de unión (JFET): Tambien llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta.
A uno de estos contacrtos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
Normalmente se contruyen en germanio o silicio, materiales que son semiconductores adecuados para aplicarlos a los transistores. Experimentalmente se utilizan tambien compuestos de galio y de arsénico.
TIPOS DE TRANSISTORES:
De punta de contacto: El transistor primario. Consistía en electrodos de emisor y colector tocando un pequeño bloque de germanio llamado base, que podía ser de tipo N y del tipo P, siendo un cuadrado de 0.05 pulgada de lado. Era dificil de controlar, por lo que ya hoy se encuentra sin uso por estar anticuado.
De unión por crecimiento: Se obtienen sus cristales realizando un proceso de crecimiento, desde el germanio y el silicio fundidos de forma que presenten uniones con muy poca separación incrustadas en la pastilla.
Las impurezas se transofrman durante el crecimiento del cristal y producen lingotes PNP o NPN, de los que se obtiene pastillas individuales.
de unión a su vez pueden ser de unión de crecimiento, unión por alineación o de campo interno, que es aquél en que la concentración de impurezas se encuentra en una cierta zona de la base a fin de mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transistor.
De unión difusa: Utilizable en un margen amplio de frecuencias en el proceso de fabricación se utiliza silicio, lo que favorece la capacidad de potencia.
Se subdividen en los de difusión única ( hometaxial ), doble difusión, doble difusión planar y triple difusión planar.
Epitaxiales:Transistor de unión obtenido por el proceso de crecimiento en pastilla de semiconductor y procesos fotolitográficos utilizados para definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento.
Se subdividen en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa.
De efecto de campo de unión (JFET): Tambien llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta.
A uno de estos contacrtos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
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